Los crisoles de carburo de silicio (SiC) negro representan el nivel más alto de rendimiento refractario, diseñados para demandas térmicas, mecánicas y químicas extremas.
El micropolvo de SiC negro es un material industrial versátil e indispensable. Su función abarca desde procesos fundamentales como la metalurgia y los refractarios hasta el desarrollo de tecnologías de vanguardia en semiconductores, gestión térmica de electrónica y compuestos avanzados.
El carburo de silicio verde generalmente no se utiliza para el pulido final del vidrio óptico. Su función principal reside en las etapas iniciales, más agresivas, de esmerilado y lapeado . Su uso para el pulido probablemente dañaría la superficie del vidrio. Principio básico: Pulido vs. Rectificado/Lapeado Pulido: El objetivo es lograr una superficie perfectamente
El uso de carburo de silicio (SiC) para el pulido de piedras es una aplicación clásica y muy eficaz. ¿Por qué carburo de silicio? El carburo de silicio es un abrasivo ideal para la piedra debido a su combinación única de propiedades: Dureza extrema: Con una dureza Mohs de 9,5 , es significativamente más duro
El micropolvo de carburo de silicio (SiC) verde es ampliamente reconocido como un excelente medio de pulido de precisión para piedra, vidrio, cerámica y materiales duros no metálicos.
El polvo de pulido de carburo de silicio verde es la opción ideal para el rectificado, lapeado y pulido de precisión de materiales duros y frágiles como cerámica avanzada, vidrio y semiconductores. Su combinación de alta dureza, agudeza y capacidad de autoafilado permite una eliminación controlada del material y la obtención de excelentes acabados superficiales en una amplia gama de aplicaciones industriales.
Actualmente, nuestra capacidad de producción anual es de aproximadamente 30.000 toneladas y las ventas superan los 100 millones. Nuestra empresa cuenta con un sistema de gestión científica y un excelente sistema de control de calidad, además de diversos equipos de prueba, como Omec, tamices de impacto y microscopios.