Micropolvo de carburo de silicio verde para pulido de obleas

El polvo de carburo de silicio (SiC) verde, utilizado en el pulido de obleas de semiconductores, es un material clave. Se utiliza ampliamente en procesos de pulido de precisión gracias a su alta dureza y excelente estabilidad química y térmica.

1. Características del carburo de silicio verde

—Alta dureza (dureza Mohs 9.2): solo superada por el diamante y el nitruro de boro cúbico, adecuada para procesar materiales duros (como silicio, obleas de carburo de silicio).

—Inercia química: no reacciona con ácidos y álcalis a temperatura ambiente para evitar la contaminación de la superficie de la oblea.

—Estabilidad térmica: aún puede mantener el rendimiento a altas temperaturas, adecuado para pulido de alta velocidad.

–Forma de partícula afilada: proporciona una capacidad de corte eficiente, pero es necesario controlar la uniformidad de las partículas para evitar rayones.

2. Aplicación en el pulido de semiconductores

—Etapa de pulido grueso: se utiliza para eliminar defectos más grandes o rastros de procesamiento en la superficie de la oblea (como capas dañadas después de cortar y pulir).

—Pulido de obleas de carburo de silicio (SiC): el carburo de silicio verde coincide con la dureza de los materiales de las obleas de SiC para reducir el daño a la superficie.

—Aplicaciones auxiliares: se utiliza para pulir materiales duros y quebradizos como sustratos de zafiro y vidrio óptico.

3. Requisitos clave de calidad
—Distribución del tamaño de partículas: debe ser muy uniforme (como D50 1–5 μm) para evitar rayones causados ​​por partículas grandes.

—Pureza: alta pureza (≥99,9%) para reducir la contaminación por impurezas metálicas (como Fe, Al).

—Morfología de la partícula: debe ser esférica o equiárea para reducir la rugosidad de la superficie.

—Suspensión: dispersión estable en el líquido de pulido para evitar la sedimentación.