Micropolvo de carburo de silicio verde (GC) para el pulido de obleas de silicio semiconductoras.
1. Descripción general del producto
El micropulvo de carburo de silicio verde (GC) de alta pureza es un abrasivo sin núcleo para el corte, lapeado y prepulido de obleas de silicio en la fabricación de semiconductores. Se formula en una pasta de pulido a base de agua y glicol para eliminar las marcas de sierra, aplanar las superficies de las obleas y reducir el daño a la red cristalina subsuperficial antes del pulido fino CMP.
2. Propiedades básicas para el procesamiento de obleas
- Pureza ultra alta, impurezas metálicas ultrabajas.SiC ≥99,0%, Fe₂O₃ ≤0,05%, sustancias magnéticas <15 ppm, mínimo carbono libre y metales pesados. Sin contaminación metálica en las obleas de silicio, lo que evita la degradación de la corriente de fuga y la vida útil de los portadores en los chips.
- Dureza adecuada y morfología cristalina autoafilable.Dureza Mohs de 9,2 a 9,5, granos poliédricos equiaxiales afilados. Ofrece un equilibrio entre una alta tasa de remoción de material y un daño superficial mínimo en comparación con los abrasivos de SiC negro y alúmina.
- Excelente inercia química y estabilidad térmica.Insoluble y no reactivo con líquidos de pulido ácidos/alcalinos; su alta conductividad térmica disipa rápidamente el calor de fricción para evitar tensiones térmicas, deformaciones y microfisuras en las obleas durante el lapeado a alta velocidad.
- Distribución controlada del tamaño de partícula estrechaLa clasificación estricta elimina los granos gruesos de gran tamaño, previene los arañazos superficiales aleatorios, estabiliza la variación total del espesor (TTV) de la oblea y la uniformidad de la rugosidad.
3. Índice químico típico para polvo de GC de grado semiconductor
| Índice | Requisito estándar |
|---|---|
| Contenido de SiC | ≥99,0% |
| Fe₂O₃ | ≤0,05% |
| Carbono libre (CF) | ≤0,10% |
| Materia magnética | ≤0,015% |
| Impureza de SiO₂ | ≤0,20% |
| Metales pesados (Pb, Cd, Cr, Ni) | Total <20 ppm |
4. Selección de grano estándar para el pulido de obleas de silicio
| Tamaño del grano | Tamaño típico de partícula D50 | Escenario de aplicación |
|---|---|---|
| GC 600# | ~22 μm | Pulido grueso, eliminación intensiva de daños por sierra |
| GC 800# | ~16 μm | Lapeado intermedio rugoso |
| GC 1200# | ~12 μm | Corte de alambre de lingote de silicio, lapeado medio |
| GC 1500# | ~8 μm | Pulido fino para obleas semiconductoras delgadas |
| GC 2000#–6000# | 1–5 μm | Pulido previo ultrafino, biselado de bordes, retrabajo |
5. Principio de funcionamiento de la pasta de pulido GC
Mezcle polvo microcristalino de alta pureza con agua desionizada o líquido portador de PEG para formar una suspensión de pulido. Bajo la presión ejercida entre la placa de pulido y la oblea de silicio, las partículas de GC ruedan y microcortan la superficie del silicio para eliminar uniformemente las irregularidades, logrando un aplanamiento sin dañar la red cristalina. Tras el pulido, las obleas se someten a una limpieza en varias etapas para eliminar las partículas residuales de SiC antes del pulido químico-mecánico (CMP).